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| 文档 |
Copper Wire 26/May/2009 Multiple Devices 07/Jul/2010 |
| 产品更改通知 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装 | 10 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 115mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 115mA (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 其他名称 | 2N7002LT1OSCT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
| 漏极电流（最大值） | 0.115 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 7.5 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 0.115 A |
| 删除 | Not Compliant |
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